MICRON DDR3 SDRAM
發布時間:2022-06-07 16:52:33 瀏覽:1042
MICRON DDR3 SDRAM比之前的DDR和DDR2 SDRAM提供更多的帶寬。除了出色的性能外,DDR3還具備較低的工作頻率范圍。結果可以是更高帶寬的實施系統,同時消耗相等或更少的系統功率。然而,根據數據規范確定系統應用程序內的功率并不總是簡單的。
要估算MICRON DDR3 SDRAM的功率,您必須了解設備的基本功能。DDR3設備的采用與DDR2類似。針對這兩種設備,DRAM的主要采用由時鐘啟動(CKE)控制。如果CKE低,則輸入緩沖區關閉。為了允許DRAM接收命令,CKE必須高以啟動輸入緩沖區,并將命令/地址傳播到DRAM上的邏輯/解碼器。在正常采用期間,發送至DRAM的第一個命令通常是ACT命令。此命令選擇銀行和銀行地址。數據存儲在選擇行的模塊中,然后從陣列傳輸到傳感放大器。
MICRON DDR3 SDRAM內有八個不同的陣列組。每個存儲組都包括自己的一組檢測放大器,可以采用唯一的行地址獨立激活這些放大器。當一個或多個存儲組的數據存儲在傳感放大器中時,DRAM激活。數據保存在傳感放大器中,直到對同一組的預命令將數據恢復到陣列中的模塊。每個ACT命令必須有一個與之關聯的前置命令;也就是說,除非采用了所有預充電命令,否則ACT和PRE命令成對出現。
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