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  MICRON DDR4 內(nèi)存 2021-06-04 17:07:48

  MICRON? DDR4內(nèi)存是全新一代的存儲空間標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。2011年1月4日，三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲空間，MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別：16位預(yù)取機制（DDR3為8位），在同樣內(nèi)核頻率下，理論研究速度是DDR3的兩倍；傳輸數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范更加安全可靠，數(shù)據(jù)安全可靠性進(jìn)一步提升，工作中電壓降為1.2V，更環(huán)保節(jié)能。

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  CXOU3ST-32.768K,50/M超低功率石英晶體振蕩器STATEK 2024-04-26 09:06:15

  STATEK CXOU3ST-32.768K石英振蕩器:高精度，低功耗，適用于醫(yī)療植入物。頻率:32kHz ~ 100kHz，電壓:1.2V ~ 5.0V。校準(zhǔn)公差:±50ppm至±20ppm。穩(wěn)定老化率:第一年2ppm。耐沖擊，振動(5000g, 20g)，寬溫度范圍:-40°C至+85°C(工業(yè))，-55°C至+125°C(軍事)。