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  Infineon英飛凌IRGB15B60KD IGBT芯片 2025-02-14 09:18:42

  IRGB15B60KD是一款集成了絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和超快軟恢復(fù)二極管的組合器件，具有低導(dǎo)通電壓和低二極管正向壓降，適用于高效率和高可靠性的電機控制應(yīng)用。其特性包括10μs短路能力、正溫度系數(shù)和超軟恢復(fù)特性，有效降低電磁干擾（EMI）。該器件支持600V集電極-發(fā)射極電壓，最大集電極電流為31A，并具備優(yōu)異的熱阻抗和開關(guān)損耗性能，為高功率密度和低功耗需求提供了理想解決方案。

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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。