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  Infineon英飛凌IRGB15B60KD IGBT芯片 2025-02-14 09:18:42

  IRGB15B60KD是一款集成了絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和超快軟恢復(fù)二極管的組合器件，具有低導(dǎo)通電壓和低二極管正向壓降，適用于高效率和高可靠性的電機(jī)控制應(yīng)用。其特性包括10μs短路能力、正溫度系數(shù)和超軟恢復(fù)特性，有效降低電磁干擾（EMI）。該器件支持600V集電極-發(fā)射極電壓，最大集電極電流為31A，并具備優(yōu)異的熱阻抗和開關(guān)損耗性能，為高功率密度和低功耗需求提供了理想解決方案。

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  ADI 晶圓半導(dǎo)體的優(yōu)勢 2020-12-25 16:53:12

  晶圓是制造半導(dǎo)體器件的基本原料。經(jīng)過60多年的技術(shù)演進(jìn)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，晶圓材料已經(jīng)形成了以硅為主體、半導(dǎo)體新材料為補(bǔ)充的產(chǎn)業(yè)格局。高純度半導(dǎo)體是通過拉伸和切片的方法制成晶圓的。晶圓經(jīng)過一系列半導(dǎo)體制造工藝形成微小的電路結(jié)構(gòu)，再經(jīng)過切割、封裝、測試等工序制成芯片，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。