- 產(chǎn)品詳情
| Part number | Package | Screening Level | TID Level |
| RHYS67134CM | TO-257AA Low Ohmic | COTS | 100 krad(Si) |
| RHYS67134CMSCS | TO-257AA Low Ohmic | S-Level | 100 krad(Si) |
| JANSR2N7590T3 | TO-257AA Low Ohmic | JANS | 100 krad(Si) |
| RHYS63134CM | TO-257AA Low Ohmic | COTS | 300 krad(Si) |
| RHYS63134CMSCS | TO-257AA Low Ohmic | S-Level | 300 krad(Si) |
| JANSF2N7590T3 | TO-257AA Low Ohmic | JANS | 300 krad(Si) |
IRHYS67134CM是一款抗輻射、150V、19A的單通道N溝道MOSFET，采用TO-257AA低電阻封裝。此型號具有如下特點：
- 單粒子效應(SEE)強化，保證高穩(wěn)定性;
- 低總門電荷，提升性能表現(xiàn);
- 低RDS(on)，減少功耗損耗;
- 快速切換，提高開關(guān)效率;
- 簡單的驅(qū)動要求，易于集成和控制;
- 具備電氣隔離和密封功能，可靠性高;
- 內(nèi)置陶瓷孔眼設計，有效散熱;
- 輕巧便攜，適用于多種場合使用。
此外，該MOSFET符合ESD等級2級，符合MIL-STD-750方法1020標準。
該產(chǎn)品適用于以下領(lǐng)域：
- 用于FPGA、ASIC和DSP內(nèi)核軌的負載點(PoL)轉(zhuǎn)換器;
- 同步整流電路;
- 有源ORing電路;
- 配電電路;
- 負載開關(guān)等多種應用場景。
