RO4003C?、RO4350B?和RO4835?層壓板是羅杰斯公司的高性能材料,因其卓越的電氣性能和機(jī)械穩(wěn)定性被廣泛應(yīng)用于高頻、高功率和高速度的應(yīng)用領(lǐng)域,如高頻通信設(shè)備、高速數(shù)字電路、汽車電子和航空航天,本文詳細(xì)介紹了這些材料的加工指南,包括儲存條件、內(nèi)層制作、鉆孔、PTH制程、鍍銅和外層加工、最終金屬表面處理以及外形加工等步驟。
HCB726280-500LIS是臺達(dá)DELTA HCB系列中的一款50nH±15%電感值、鐵芯材質(zhì)、工作溫度-40℃至125℃的電感產(chǎn)品,專為服務(wù)器、GPU等高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。
HCB444-101IN 是臺達(dá) DELTA HCB444 系列中的一款高性能功率電感,具有 100nH 的電感值(±20% 容差)和極低的直流電阻(0.00032Ω)。其飽和電流為 17A,最大電流在 25℃ 時為 13A,在高溫環(huán)境下(100℃ 和 125℃)為 12A。該電感器采用 SMD 封裝,尺寸為 4.3×1.7×1.4mm,工作溫度范圍為 -40℃ 至 125℃,適用于服務(wù)器、GPU 等高功率應(yīng)用場景,具備強(qiáng)大的電流承載能力和低損耗特性。
DELTA HCUVD6595系列電感器提供0.2至1.0微亨的電感值范圍,最大直流電阻為0.85毫歐,可承受12至66A的飽和電流和28A的有效電流。其緊湊的物理尺寸最大為6.5x6.5x9.5毫米,適合電源管理和信號處理等多種電子應(yīng)用。該系列產(chǎn)品在25°C、100kHz和1V條件下具有穩(wěn)定的電氣特性。
IRGB15B60KD是一款集成了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和超快軟恢復(fù)二極管的組合器件,具有低導(dǎo)通電壓和低二極管正向壓降,適用于高效率和高可靠性的電機(jī)控制應(yīng)用。其特性包括10μs短路能力、正溫度系數(shù)和超軟恢復(fù)特性,有效降低電磁干擾(EMI)。該器件支持600V集電極-發(fā)射極電壓,最大集電極電流為31A,并具備優(yōu)異的熱阻抗和開關(guān)損耗性能,為高功率密度和低功耗需求提供了理想解決方案。
Linear Systems(全稱Linear Integrated Systems)由John H. Hall于1987年創(chuàng)立,總部位于美國加州硅谷,專注高性能分立半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、開發(fā)與制造,憑借深厚技術(shù)積累服務(wù)高精度和高可靠性要求領(lǐng)域。其主要產(chǎn)品有超低噪聲JFET、高速橫向DMOS開關(guān)、低漏電流二極管、電流調(diào)節(jié)二極管等多種類型。產(chǎn)品應(yīng)用于音頻、工業(yè)控制、醫(yī)療電子、軍事與航天、測試與測量等領(lǐng)域。該公司具有專利與專有技術(shù),產(chǎn)品在噪聲、速度和精度等方面表現(xiàn)出色,專注為高端市場提供高性能半導(dǎo)體產(chǎn)品,滿足高端應(yīng)用需求。
QT1123L是Q - Tech公司生產(chǎn)的高性能實(shí)時時鐘(RTC)芯片,專為高溫應(yīng)用設(shè)計(jì),具備低功耗、高穩(wěn)定性等特點(diǎn),能為需精確時間記錄和數(shù)據(jù)存儲的設(shè)備提供可靠時鐘方案。其特性包含特定輸出頻率、工作電壓、寬工作與存儲溫度范圍等參數(shù),還提供報(bào)警、中斷等功能。該芯片適用于數(shù)據(jù)記錄和實(shí)時時鐘功能,采用SPI總線接口支持快速通信,可通過時鐘控制寄存器選擇多種輸出頻率。它采用Kovar材料封裝,抗腐蝕且適合惡劣環(huán)境,引腳功能豐富,能滿足不同連接和控制需求。
PmT - 3210 - Frequency (GHz) 是 Princeton Microwave Technology Inc. 生產(chǎn)的高性能相位鎖定振蕩器(PLO),專為高頻率穩(wěn)定性、低相位噪聲和寬頻率范圍應(yīng)用設(shè)計(jì),適用于通信、雷達(dá)等領(lǐng)域。
LS1043A是NXP公司推出的首款四核、64位Arm?架構(gòu)的Layerscape系列處理器,提供超10 Gbps性能,適用于小尺寸、低功耗的網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)和汽車等應(yīng)用。它支持無風(fēng)扇設(shè)計(jì),優(yōu)化了物料清單,有0.9V低功耗版本,23x23封裝選項(xiàng)與其他處理器引腳兼容,相比雙核32位Arm處理器性能顯著提升,還集成QUICC Engine?支持傳統(tǒng)接口,是NXP的EdgeVerse?邊緣計(jì)算平臺一部分。其應(yīng)用場景廣泛,涵蓋網(wǎng)絡(luò)設(shè)備(如小型交換機(jī)、路由器)、工業(yè)自動化(支持Profibus等協(xié)議的設(shè)備)、汽車電子(車載網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng))以及物聯(lián)網(wǎng)(作為邊緣計(jì)算設(shè)備核心處理器)。
Ampleon作為全球領(lǐng)先的射頻功率半導(dǎo)體解決方案提供商,依托NXP近60年在射頻功率領(lǐng)域的技術(shù)與經(jīng)驗(yàn)積累,為無線通信、廣播等多領(lǐng)域提供高性能射頻功率產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于5G基礎(chǔ)設(shè)施等場景,彰顯卓越實(shí)力與廣泛影響力。主要用于1.3GHz頻率的粒子加速器等高功率射頻應(yīng)用。
iNRCORE的 BMS 變壓器能滿足現(xiàn)代 BMS 苛刻要求,具備寬工作溫度范圍、AEC - Q200 認(rèn)證等特點(diǎn)。此外,在為應(yīng)用選擇 BMS 變壓器時,需考慮隔離要求、通信協(xié)議、大小約束、環(huán)境條件、EMI 性能、通道數(shù)以及爬電距離和電氣間隙等因素。
Statek ULPXO 振蕩器專為惡劣環(huán)境中需超低功耗且能在高沖擊水平下生存的應(yīng)用設(shè)計(jì),由高沖擊調(diào)諧叉石英諧振器和 CMOS 兼容集成電路組成,密封于高沖擊陶瓷封裝。其主要特點(diǎn)有 5.0 x 1.8 mm 密封陶瓷封裝、超低電流消耗、高沖擊抗性達(dá) 30,000 g 等,且提供全面軍事測試,在美國設(shè)計(jì)、制造和測試。應(yīng)用于醫(yī)療(患者監(jiān)測設(shè)備)、國防與航空航天(堅(jiān)固實(shí)時時鐘)、工業(yè)(時間保持模塊)及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。
Vishay 134D、134J、134L 濕式鉭 HI - TMP? 電容器是專為高沖擊和振動性能設(shè)計(jì)的高性能產(chǎn)品,采用鉭外殼和玻璃到鉭的密封技術(shù),可在 - 55°C 至 + 200°C 極端溫度下穩(wěn)定工作,具有高電容值、低漏電流和長壽命特點(diǎn)。其特點(diǎn)包括提供多種電容值、密封設(shè)計(jì)保障惡劣環(huán)境可靠性、寬溫度范圍、多種引腳類型(134D 軸向通孔引腳、134J 和 134L 為不同類型 SMD 引腳)、符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)且有 100% 錫端子選項(xiàng)。性能特性涵蓋工作溫度、電容容差、直流漏電流及壽命測試等方面。適用于工業(yè)、石油勘探及高溫/高應(yīng)力環(huán)境等領(lǐng)域,還提供了訂購指南。
QTCH系列晶體振蕩器支持1MHz至48MHz基本模式頻率,能在1.8Vdc至5.0Vdc寬電壓范圍工作,功耗低于3mA,工作溫度范圍為 -55oC至 +200oC。該產(chǎn)品適用于鉆井和數(shù)據(jù)記錄工具、石油服務(wù)行業(yè)等高溫環(huán)境下的電子設(shè)備。
Connor-Winfield的6引腳表面貼裝VCXO提供VSM61**#、VSM62**#和VSM64**#三種型號,頻率范圍均為2MHz至100MHz,頻率穩(wěn)定性分別為±25ppm、±50ppm和±20ppm。
本文介紹了Rogers公司高頻電路材料中銅箔的類型、表面粗糙度及其對性能的影響。Rogers提供多種銅箔,包括電沉積銅箔、軋制銅箔、電阻銅箔和反轉(zhuǎn)處理銅箔,以滿足不同應(yīng)用場景需求。銅箔表面粗糙度越高,導(dǎo)體損耗越大,影響信號傳輸效率。Rogers通過優(yōu)化工藝降低粗糙度,提高高頻電路性能。其高頻材料廣泛應(yīng)用于航空航天、通信等領(lǐng)域,為現(xiàn)代高頻電子技術(shù)發(fā)展提供支持。
Ampleon CLF24H4LS300P是一款300W的GaN-SiC HEMT功率晶體管,專為2400 MHz至2500 MHz頻率范圍內(nèi)的烹飪、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有高效率、優(yōu)秀的堅(jiān)固性和寬帶操作能力,內(nèi)部輸入匹配,無需外部匹配網(wǎng)絡(luò),且符合RoHS合規(guī)性。在VDS = 50V,VGS = -5V,環(huán)境溫度25°C的類AB/類C應(yīng)用電路中,該晶體管在連續(xù)波(CW)條件下輸出功率為320W,增益為14dB,效率為74%;在CW脈沖條件下輸出功率為350W,增益為14dB,效率為75%。它采用SOT1214B無耳法蘭陶瓷封裝,具有良好的熱特性和電氣特性,適用于RF功率放大器。
Microsemi 1N5195是符合MIL-PRF-19500/118標(biāo)準(zhǔn)的軍用級開關(guān)二極管,認(rèn)證等級有JAN、JANTX、JANTXV 。其最大額定值(@25°C)包括工作和存儲溫度均為 -65°C至 +175°C,浪涌電流(正弦波,8.3毫秒)2A,總功率耗散500mW,最大工作電流200mA,直流反向工作電壓180V。設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)方面,采用符合MIL-PRF19500/118 DO-35輪廓的密封玻璃封裝,引線材料為銅包鋼,表面處理是錫/鉛,熱阻抗最大70°C/W,極性為帶環(huán)的陰極端。
Princeton Microwave PmTA-620-40-2.5低噪聲放大器頻率6 - 20 GHz,小信號增益≥40 dB,中頻段噪聲系數(shù)2.5 dB,50Ohm輸入輸出匹配,有內(nèi)部調(diào)節(jié)和偏置排序,無條件穩(wěn)定,密封模塊,工作溫度 -50°C至100°C。
RO4000? 系列高頻電路材料是玻璃增強(qiáng)型碳?xì)浠衔锖吞沾桑ǚ荘TFE)層壓板,專為性能敏感、高容量商業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì),能提供卓越高頻性能與低成本電路制造,可用標(biāo)準(zhǔn)FR-4工藝制造。其中RO4003C?等部分層壓板可與Ticer TCR薄膜電阻箔包覆,有特定箔厚與電阻值,1oz厚銅箔可特殊訂購。
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